Перечень исследовательского оборудования
«Лаборатории исследований поверхности»

Наименование, основные технические характеристики Вид оказываемых услуг Год приобретения, модернизации, вид модернизации
1

Растровый электронный микроскоп JSM 35С японской фирмы JEOL, снабженный SPD детектором и возможностью исследования в режимах Z-contrast, SEI, BEI, AEI, снабженный приставкой для растяжения образцов в колоне микроскопа.

Исследование микроструктуры при увеличениях от 20 до 60000 крат методом растровой электронной микроскопии. Фрактографические исследования. Определение величины зерна, загрязненности неметаллическими включениями, определение типа неметаллических включений. Анализ соответствия микроструктуры требованиям ГОСТ. Анализ причин разрушения металлических конструкций и изделий комплексным исследованием микроструктуры стали или сплава, морфологии защитных покрытий, коррозионных, усталостных или иных повреждений.

1986 г.

2008 г. Установка системы компьютерного управления и регистрации изображений.

2

Электронный спектрометр ESCALAB MK2 английской фирмы VG (полусферический анализатор энергии, разрешение до 2.5 мэВ). Вакуум 10-8 Па, Монохроматическое Al Kalpha излучение, температуры -196 до 650 °С, ионное травление. Электронная сканирующая пушка LEG200, ионное травление. Электронный источник монохроматических медленных электронов EMU50 (17 мэВ, от 0 до 100 эВ). Сканирующий источник ионов аргона (пятно диаметром 0.5 мм), масс-спектрометр квадрупольного типа SQ300, устройство консольного разрушения образцов для получения изломов в высоком вакууме, механическая или ионная очистка поверхности образцов.

Исследование химического состава и электронной структуры твердых тел. Элементный состав (все элементы периодической системы):
― Электронная спектроскопия для химического анализа (ESCA)/рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS).
― Спектроскопия и микроскопия Оже-электронов.

Сканирующая микроскопия плазмонных потерь в тонких плёнках.

Спектроскопия потерь энергии медленных электронов высокого разрешения (HREELS):
― Исследование тонких деталей электронных уровней вблизи запрещённой зоны для построения карт распределения электронной плотности в обратном пространстве.
― Спектроскопия фононных и плазмонных потерь.
― Вибрационная спектроскопия для идентификации молекул, адсорбированных на поверхности.

Анализ атомной структуры тонких пленок и поверхности (EELFS). Исследования образцов при низких и повышенных температурах -196 – 650 °С.

Исследования кинетики многокомпонентного зернограничного сегрегирования в различных материалах.

Масс-спектроскопия вторичных ионов.

1986 г.

1998 г. Разработка метода EELFS.

2002 г. Новая программно-аппаратная система управления спектрометром.

2015 г. Разработка метода Оже- и плазмонной микроскопии; дополнение программно-аппаратной системы управления спектрометром для масс-спектрометрии вторичных ионов.

2018 г. Обновлённая версия программно-аппаратной системы управления спектрометром.

3

Микроанализатор ATD M4 французской фирмы SETARAM Температуры -196 – 1600 °С.

Определение тепловых эффектов, сопровождающих структурные или фазовые превращения.

1989 г.

2002 г. Компьютерный сбор и обработка информации.